Ainult registreeritud kasutajad saavad artikleid tõlkida
Logi sisse
TECHNICAL FIELD
The present invention relates to nonvolatile memory elements suited for high level integration and high speed and to methods of manufacturing the same. The present invention particularly relates to a variable resistance nonvolatile memory element into which data is written through
Korraldage oma huvisid ja hoidke end kursis uudisteuuringute, kliiniliste uuringute ja patentidega
Sisestage sümptom või haigus ja lugege ravimtaimede kohta, mis võivad aidata, tippige ürdi ja vaadake haigusi ja sümptomeid, mille vastu seda kasutatakse. * Kogu teave põhineb avaldatud teaduslikel uuringutel